法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-08
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20110905
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-03-25
授权
授权
2015-03-25
授权
授权
2012-06-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110905
实质审查的生效
2012-06-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110905
实质审查的生效
2012-05-16
公开
公开
2012-05-16
公开
公开
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机译: 在绝缘体沟道区上具有局部极薄硅的半导体器件
机译: 在绝缘体沟道区上具有局部极薄硅的半导体器件
机译: 半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。