结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件

摘要

FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏（以及按键，如果有键盘）提供照明。该解决方案对各种动态特性做出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。