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公开/公告号CN111048408B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州锴威特半导体股份有限公司;
申请/专利号CN202010005540.4
发明设计人 谭在超;罗寅;丁国华;
申请日2020-01-03
分类号H01L21/04;H01L29/78;
代理机构南京众联专利代理有限公司;
代理人叶倩
地址 215600 江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
入库时间 2022-08-23 13:45:26
机译:一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件