The University of Texas at Austin;
机译:GaAs / Algaas雪崩光电二极管的增益和噪声具有薄乘法区
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:非晶硅/碳化硅分离吸收和倍增区域的乘法噪声仿真用另外的P-N形:H / I-A-Si:H / I-A-SiC:H Avalanche单位雪崩光电二极管
机译:具有高速和高带宽积的谐振腔分离吸收和倍增雪崩光电二极管
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:分层BI2O2SE雪崩光电二极管的内在载波乘法,增益带宽产品超过1 GHz
机译:位移损伤对低击穿电压si雪崩光电二极管的时间分辨增益和带宽的影响