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公开/公告号CN111988546A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工程大学;
申请/专利号CN202010964357.7
发明设计人 温强;金敬文;朱垚鑫;李平;王锋;
申请日2020-09-15
分类号H04N5/372(20110101);H04N5/357(20110101);
代理机构
代理人
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
入库时间 2023-06-19 08:06:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-31
授权
发明专利权授予
机译: 具有稳定电荷倍增增益的EMCCD图像传感器
机译:CCM-一种适用于小像素CCD图像传感器中电荷检测的新型低噪声电荷载流子倍增器
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:基于矩估计的电子倍增CCD噪声分布模型的参数估计
机译:具有薄倍增区的雪崩光电二极管的增益,噪声和带宽
机译:基于电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)的锥形束微CT系统的噪声和对比度灵敏度的研究
机译:一种用于估计光电倍增管的绝对增益的技术
机译:一种降低光电倍增管信号噪声的新方法