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一种倍增CCD倍增增益拟合测量方法

摘要

本发明涉及电子元器件测试技术领域,尤其涉及一种倍增CCD(EMCCD)倍增增益拟合测量方法领域。所述方法包括如下步骤:设置倍增增益控制寄存器为0,EMCCD在平场光及暗场下分别针对不同的曝光时间,得到图像灰度信号的一组均值;设置倍增增益控制寄存器为x,EMCCD在平场光及暗场下分别针对不同的曝光时间,得到图像灰度信号的一组均值;通过最小二乘法拟合两条直线,直线斜率与直线斜率之比为EMCCD当前倍增增益。本方法的有益效果在于提供了一种基于多组数据的EMCCD倍增增益测量方法,对比现有方法,能够获得更精确的倍增增益,稳定可靠,适于工程应用。

著录项

  • 公开/公告号CN110996095A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工程大学;

    申请/专利号CN201911222601.6

  • 发明设计人 温强;金敬文;朱垚鑫;

    申请日2019-12-03

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

  • 入库时间 2023-12-17 10:29:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N17/00 申请日:20191203

    实质审查的生效

  • 2020-04-10

    公开

    公开

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