公开/公告号CN103000519B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201110267044.7
申请日2011-09-09
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人王函
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:23:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-02-04
授权
授权
2014-02-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后: 登记生效日:20140108 申请日:20110909
专利申请权、专利权的转移
2013-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110909
实质审查的生效
2013-03-27
公开
公开
机译: 在陶瓷超导体中形成约瑟夫逊弱连接结-通过在具有凸脊的基板上外延沉积超导膜,在凸脊上形成晶界
机译: 在半导体晶片中形成超浅结的方法,该超浅结具有从气体前体沉积的硅层以减少水杨酸化过程中的硅消耗
机译: 用于在半导体器件中沉积外延硅层和外延硅层的覆盖移位校正