一种用于ESD保护电路的GGNMOS器件

摘要

本发明提供一种用于ESD保护的GGNMOS器件，包括：衬底，位于所述衬底上的P阱区，在所述P阱区中设有的若干漏极区，在所述P阱区表面、所述漏极区两侧设有的栅极区，在所述P阱区、所述栅极区的另一侧设有的源极区，在所述源极区之间设有的P型掺杂区，在所述源极区下方、紧挨所述源极区处设有的N阱区。所述用于ESD保护的GGNMOS器件既能解决非一致触发问题，又能解决泄漏通道中电阻降低、触发电压升高，静电电流不易泄漏的问题。