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运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

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摘要

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD(electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.

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来源
《辽宁大学学报：自然科学版》 |2009年第1期|18-20|共3页
作者
田宝勇; 付强;
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作者单位

辽宁大学计算中心;

辽宁大学物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
ESD; 保护电路; GGNMOS;

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