GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路

摘要

本实用新型公开一种GGNMOS器件，包括衬底；形成于衬底中的源极和漏极，源极包括第一、第二源极，漏极位于第一、第二源极之间；形成于衬底上的栅极，栅极包括第一、第二和第三栅极；第三栅极包括沿第一方向延伸的第一、第二部，沿第二方向延伸的第三、第四部，第三、四部均位于第一、二部之间且两端分别连接第一、第二部，以将第一、二部之间的区域限定为第一区域、第二区域、位于第一、第二区域之间的第三区域；第一栅极位于第一区域，第一栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第一源极的正投影；第二栅极位于第二区域，第二栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕第二源极的正投影。本实用新型还提供多指GGNMOS器件及ESD保护电路。