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刘瑶; 姚若河; 高英俊;
广西大学物理科学与工程技术学院;
南宁530004;
华南理工大学微电子研究所;
广州510640;
ESD保护器件; GGNMOS; 数值建模; 大电流效应;
机译:ggNMOS ESD保护器件的交流建模
机译:ggNMOS ESD保护设备的交流建模
机译:环境温度升高对承受长电过载脉冲的BCD ESD保护器件的热击穿行为的影响
机译:分析及改进的次级0.25微米ESD保护GGNMOS器件击穿行为的紧凑型造型
机译:用于深亚微米ESD保护器件的衬底电阻的建模和表征。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:GGNMOS ESD保护装置的布局策略调查均匀传导行为及最优宽度缩放
机译:p(+)N-N(+)器件的异常电压响应及其对二次击穿的影响。
机译:具有GGNMOS的半导体器件的ESD保护器件
机译:MOS晶体管和ESD保护器件均具有可设置的横向击穿电压与垂直击穿电压的电压比
机译:ESD器件布局,可有效减小内部电路面积,避免ESD和击穿损坏,并有效保护高压IC
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