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崔强; 韩雁; 董树荣; 刘俊杰; 斯瑞珺;
浙江大学微电子与光电子研究所,杭州310027;
中佛罗里达大学电机系,美国奥兰多32816;
MOS; 二次击穿; 电路级; 宏模块; 建模;
机译:NBTI引起的纳米级CMOS器件动态变化的研究:建模,实验证据以及对电路的影响
机译:LDMOS器件建模和电路设计:电路设计需要什么器件建模?
机译:LDMOS器件建模和电路设计-电路设计需要什么器件建模?
机译:模拟电路性能宏建模的两级建模方法
机译:一种热力学可变方法,用于建模归因于随机光刻结果和高k介电各向异性的纳米级MOS器件管芯内静电行为
机译:超出了具有几何分布组件的电路的特定情况用于近似分数级型号:应用于新型电力法型长内存行为建模模型
机译:在高电阻率,探测器级硅上制造的CmOs器件和电路的特性。
机译:分析具有基本组件(例如程序模块或电子电路模块)的复杂分布式系统的时间行为的方法,其中使用输入事件模型和事件流对系统进行建模
机译:功率宏建模技术在寄存器传输级功率估计中的应用
机译:宏设计技术可适应宏中的芯片级布线和电路布置
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