公开/公告号CN102719887B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
申请/专利号CN201210193466.9
发明设计人 李亮;
申请日2012-06-13
分类号
代理机构南京君陶专利商标代理有限公司;
代理人沈根水
地址 210016 江苏省南京市中山东路524号
入库时间 2022-08-23 09:22:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-10
授权
授权
2012-12-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20120613
实质审查的生效
2012-10-10
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译: 氮化镓晶体生长方法,氮化镓晶体衬底,外延晶片制造方法和外延晶片