提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法

摘要

一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法，当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露，用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离。本方法工艺简单、实用，解决了基础条件与工艺水平相对较差的情况下，可以确保硅高压平面器件的击穿电压，有较高的良品率和稳定性。