GaN; high-electron-mobility transistor (HEMT); trapping effect back-gating analysis;
机译:1200 V超晶格硅上GaN异质结构的低导通电阻和低陷阱效应
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:用于电力系统应用的高击穿和低偏移电压INGAP / GAAS异质结构双极晶体管
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:基于全差分电压合并器的低压CMOS缓冲器,用于RF应用