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600V高压平面功率场效应管击穿电压的优化

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摘要

通过对600V高压平面功率场效应管原胞和终端击穿电压的优化匹配设计,使得600V高压器件击穿始于器件原胞内部而不是终端,解决了击穿电压的walking in问题,提高了击穿电压的稳定性和可靠性,器件的非钳位电感(UIS)雪崩能量进一步提高.

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来源
《2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2014年|318-321|共4页
会议地点太原
作者
周宏伟; 张爱忠; 胡兴正;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
功率场效应管; 金属氧化物半导体; 终端结构; 击穿电压;

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