公开/公告号CN102383192B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201110215672.0
申请日2011-07-29
分类号
代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);
代理人孙佳胤
地址 201821 上海市嘉定区普惠路200号
入库时间 2022-08-23 09:19:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-18
授权
授权
2012-06-20
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20110729
实质审查的生效
2012-03-21
公开
公开
机译: 在半导体衬底上形成锗膜的方法,该方法包括在形成锗层之前形成渐变的硅锗缓冲层
机译: 在半导体衬底上形成锗膜的方法,该方法包括在形成锗层之前形成渐变的硅锗缓冲层
机译: 锗缩合在同一衬底上固定不同锗的硅锗基区的制备方法;