通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路

摘要

本发明提供了一种通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路。根据本发明的通孔刻蚀方法包括：二氧化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层二氧化硅薄膜；第一氮化硅薄膜沉积步骤，用于在沉积了所述碳化硅薄膜之后沉积一层第一氮化硅薄膜；第一氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀停止层刻蚀PMOS器件区域的第一氮化硅薄膜；碳化硅薄膜沉积步骤，用于沉积碳化硅薄膜；第二氮化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层第二氮化硅薄膜；以及第二氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用干刻的方法去除NMOS区域的第二氮化硅薄膜。