用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构

摘要

一种用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，有补偿管M14的栅极连接补偿信号，复位管M11的栅极连接复位信号，选通管M13的栅极连接选通信号，补偿管M14的源极、复位管M11的漏极和晶体管M12的漏极均连接电源VDD，补偿管M14的漏极、复位管M11的源极、晶体管M12的栅极和光电二极管PD的N极连在一起，晶体管M12的源极连接选通管M13的漏极，选通管M13的源极连接电流源I的输入端，电流源I的输出端接地，所述的光电二极管PD的P端接地。本发明的用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构，可以降低PD自身暗电流对图像质量的影响。同时，本发明的像素可以在总剂量辐照强度较大环境下正常工作，即使有源像素能够工作在强辐照的环境下。