法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8254 授权公告日:20140122 终止日期:20180311 申请日:20120311
专利权的终止
2014-01-22
授权
授权
2014-01-22
授权
授权
2012-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8254 申请日:20120311
实质审查的生效
2012-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8254 申请日:20120311
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
2012-07-18
公开
公开
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机译: 半导体器件,制造半导体器件的方法,分离栅型晶体管,制造分离栅型晶体管的方法以及非易失性半导体存储器
机译: 一种制造半导体存储器件的方法,一种半导体器件和一种半导体存储器件。
机译: 制造非易失性半导体存储器件的方法和具有堆叠栅结构的选择栅器件