公开/公告号CN102171710B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200980139557.0
申请日2009-09-08
分类号G06K19/07(20060101);G05F1/10(20060101);G05F1/56(20060101);G05F3/24(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人朱海煜;王忠忠
地址 日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:17:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-08
授权
授权
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G06K 19/07 申请日:20090908
实质审查的生效
2011-08-31
公开
公开
机译: 光学半导体器件引线框架的基体,光学半导体器件引线框架的基体的制造方法,使用光学导体的半导体器件,光学导体器件的引线框架,光学半导体器件引线框架,光学半导体器件引线框架,光学半导体器件引线框架
机译: 用于光学半导体器件的引线框架,用于树脂光学半导体器件的引线框架,与引线框架的主体一起使用,与树脂与引线框架的主体一起使用,光学半导体器件,与光学半导体器件的主体一起使用
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