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利用液相外延技术制作微型硅构件的方法

摘要

利用液相外延技术制作微型硅构件的方法,先将衬底硅片氧化,然后在氧化膜上开出所需构件形状的窗口,露出硅底层,将硅片浸入经硅饱和的金属熔体中,利用硅液相外延法在窗口上外延生长硅构件。由于外延构件与硅衬底电阻率的不同,通过化学腐蚀将构件与衬底分离,由此即可制造所需形状的微型硅的构件,而且所用的衬底可以重复使用,使硅材料的利用率大大提高。

著录项

  • 公开/公告号CN1110067C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN99127558.6

  • 发明设计人 季振国;樊瑞新;袁骏;阙端麟;

    申请日1999-12-29

  • 分类号H01L21/208;

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林怀禹

  • 地址 310027 浙江省杭州市玉古路20号

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-02-27

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2003-05-28

    授权

    授权

  • 2000-07-12

    公开

    公开

  • 2000-06-14

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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