设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制程窗口的方法

摘要

本发明设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制成窗口的方法通过将通常在介质层底部的刻蚀停止层挪到顶部，其材质可以选择为氮化硅。基本工艺流程为首先正常刻蚀到硅栅高度，然后增加一块掩模版，区域包含硅基板上的孔，利用顶部膜作为硬阻挡层，来选择性的刻蚀接触孔，一般刻蚀深度在800A左右。刻蚀停止层可以在后续化学机械研磨（CMP）工程中剥离，当然也可以选择保留，其存在不影响后续工程。虽然增加了一道额外光刻工序，但是可以极大增加流程的工艺窗口，缩小芯片面积。