首页> 中国专利> 用于形成具有包括氮化层的极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法

用于形成具有包括氮化层的极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法

页面导航

摘要

屏蔽栅场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区的多个沟槽。屏蔽电极设置在每个沟槽的底部中，并且栅电极设置在每个沟槽中的屏蔽电极之上。极间电介质(IED)在屏蔽电极和栅电极之间延伸。IED包括第一氧化层和在第一氧化层之上的氮化层。

公开/公告号CN101615632B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人飞兆半导体公司;
展开▼

申请/专利号CN200910150293.0
发明设计人斯科特·L·亨特;
展开▼

申请日2009-06-26
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/283(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚;吴孟秋
地址美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:16:16

1. 用于形成具有包括氮化层的极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法 [P] . 中国专利： CN101615632B . 2013.10.23
2. 屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法 [P] . 中国专利： CN105702736B . 2019.10.11
3. Structure and method for forming a shielded gate trench FET with an inter-electrode dielectric having a nitride layer therein [P] . 韩国专利： KR101644372B1 . 2016-08-01

机译：用于形成具有其中具有氮化物层的电极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法
4. Structure and Method for Forming a Shielded Gate Trench FET with an Inter-Electrode Dielectric Having a Nitride Layer Therein [P] . 美国专利： US2009321817A1 . 2009-12-31

机译：形成具有其中具有氮化物层的电极间电介质的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法
5. Structure and Method for Forming a Shielded Gate Trench FET with an Inter-electrode Dielectric Having a Low-k Dielectric Therein [P] . 美国专利： US2010006928A1 . 2010-01-14

机译：用其中具有低k电介质的极间电介质形成屏蔽栅沟槽FET的结构和方法