掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造

摘要

本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法，制造器件的方法，半导体器件，制造纳米线半导体器件的方法，用纳米线制造发光二极管的方法，制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法，在表面上装配多个拉长结构的方法，在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。