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一种抗辐照的Halo结构MOS器件

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本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法，所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，其特征在于，通过控制Halo注入的角度、剂量和能量，使所述Halo区的掺杂浓度为4×10

著录项

公开/公告号CN102194868B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-07

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201010128005.4
发明设计人黄德涛;刘文;王思浩;黄如;
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申请日2010-03-16
分类号
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:15:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-30

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 授权公告日:20130807 终止日期:20170316 申请日:20100316

专利权的终止
2013-08-07

授权

授权
2013-08-07

授权

授权
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20100316

实质审查的生效
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20100316

实质审查的生效
2011-09-21

公开

公开
2011-09-21

公开

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