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公开/公告号CN101461044B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN200780020952.8
发明设计人 汤姆·A·坎普;
申请日2007-06-01
分类号H01L21/3213(20060101);H01L21/311(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人周文强;李献忠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:15:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-09-04
授权
2009-08-12
实质审查的生效
2009-06-17
公开
机译: 用薄的硬掩模层和顶部保护层修整硬掩模
机译: Cu / W - 用于除去金属硬掩模的水性制剂和Cu / W兼容性的后蚀刻残余物
机译: 硬掩模组合物,使用硬掩模组合物形成图案的方法,以及由硬掩模组合物形成的硬掩模
机译:加盖的碳硬掩模和修整工艺:低成本,高效的纳米尺度设备路线
机译:光刻胶修整和介电硬掩模蚀刻的集成工艺,用于低于50 nm的栅极构图
机译:高质量模具的去毛刺/边缘修整技术⑤使用3M径向硬毛盘的模具去毛刺/边缘修整技术
机译:通过一维硬掩模湿法修整制造的用于16 / 14nm节点的具有低LER / LWR的超窄硅鳍片
机译:高位六角形杠铃硬拉1RM有和没有下腰痛或受伤的大学女运动员之间的差异
机译:使用转移的硬掩模在非常规基材上进行纳米加工
机译:利用湿化学硬掩模修整工艺制备深亚亚光刻铝基纳米互连
机译:使用在线EDm修整在精密研磨结构陶瓷的金属粘结,超硬磨料砂轮上生成复杂轮廓。