台面工艺可控硅芯片结构和实施方法

摘要

本发明涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N⁺型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO₂保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO₂保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N⁺型阴极区，其特征在于：对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。本发明的优点是：结构和工艺成熟、制造过程简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。