应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力的建模方法

摘要

本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型，在标准BSIM4模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距、Nwell与PC间距、Nwell与OD边界间距；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对BSIM4模型基本参数Vth0和μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压V