法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-04-24
授权
授权
2011-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20091125
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
机译: 用于存储器芯片的测试方法,制造方法和测试装置,用于存储器模块的测试方法,制造方法,测试装置和用于计算机的制造方法
机译: 可擦写存储器(尤其是eprom型)的测试方法的内容以及用于执行该方法的可擦写存储器的测试方法
机译: 静态随机存取存储器单元具有双稳态电路,该双稳态电路具有两个具有各自阈值电压的nMOS晶体管和两个开关晶体管,其中一个阈值电压大于另一个阈值电压