用KrF工艺及线宽小于KrF的工艺制作半导体器件长方形孔的方法

摘要

本发明公开了一种用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法，包括如下步骤：在长方形孔的位置上，用光刻胶光刻定义尺寸为D1×D2的中空的第一长方形图形，其中D1≤D2；然后在中空长方形图形上涂布光刻胶，并光刻定义尺寸为D3×D4的中空的第二长方形图形，其中D3≤D4，所述第一长方形图形长度为D2的边与所述第二长方形图形长度为D4的边垂直，并且D3≤D2，D1≤D4；对所述第一长方形图形和第二长方形图形所叠加的尺寸为D1×D3的区域进行刻蚀，得到长方形孔。本发明通过两步光刻，形成具有高保真度的小尺寸长方形孔图形，避免了缩头现象的发生，而且所采用的工艺方法成本低廉，容易实现。