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公开/公告号CN107850841B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 荣昌化学制品株式会社;
申请/专利号CN201680043047.3
发明设计人 李昇勋;李昇炫;尹相雄;李秀珍;崔映喆;
申请日2016-06-27
分类号G03F7/004(20060101);G03F7/038(20060101);
代理机构11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人郑青松
地址 韩国庆尚北道
入库时间 2022-08-23 11:37:39
机译: 用于形成半导体图案的KRF激光的负光致抗蚀剂组合物
机译:用于形成磁控溅射Ti / Pt / Au接触系统图案和焊锡凸点的单层负色调剥离光致抗蚀剂
机译:KrF受激准分子激光退火表征低温固溶处理的铟锌氧化物半导体薄膜
机译:优化静电纺制SU-8负性光致抗蚀剂以产生图案化的碳纳米纤维和纳米珠
机译:使用超薄光致抗蚀剂图案作为间隔物的非溶剂转移形成有机半导体膜
机译:聚合物-纳米粒子共混物中用于电荷存储的电荷动力学:半导体聚合物的表面增强荧光;表面等离子体激元辅助的发光太阳能聚光器波导。
机译:使用材料安全数据表和用于半导体制造行业的光致抗蚀剂的副产品评估有害化学物质
机译:用于KRF准分子激光光刻的三个分量负光致抗蚀剂。
机译:聚合物的飞秒激光图案化:非线性和负指数器件