LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法

摘要

一种LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法，GaN基衬底包括：图形化衬底(10)，包括多个凹陷部(10a)与多个凸起部(10b)；位于凹陷部(10a)的金属Ga层(12’)；以及位于金属Ga层(12’)与金属Ga层(12’)暴露出的凸起部(10b)上的第二半导体层(13)，第二半导体层(13)的材料为GaN基材料。LED发光结构形成在GaN基衬底上时，LED发光结构发出的光线经金属Ga层反射后，可从LED发光结构的上表面或侧表面出光，减少了光吸收，从而提高了LED发光结构的出光效率。

说明书

PCT国内申请，说明书已公开。