...
机译:MOCVD在ZnO衬底上形成垂直结构的GaN基LED
Key Laboratory of Micro-nano Photonic Functional Materials and Devices of Guangdong Province, the Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou, China;
Epitaxial growth; Gallium nitride; Light emitting diodes; MOCVD; Substrates; Zinc oxide; GaN; ZnO; metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD); substrate;
机译:通过改进的YAG激光剥离技术和带图案的蓝宝石衬底制造的具有高光提取复合表面结构的GaN基LED
机译:在ZnO衬底上进行GaN基材料的MOCVD生长
机译:MOCVD在4英寸图案蓝宝石衬底上生长的GaN的白色LED的示范
机译:通过MOCVD在ZnO模板上的原始GaN基LED结构
机译:使用多功能MGZNO / ZnO结构的电压控制可调表面声波覆盖
机译:通过脉冲激光沉积朝向垂直于硅和玻璃基板表面的自催化ZnO纳米线的生长
机译:CVD制备钴钴and共掺杂ZnO纳米结构的表征与性能以及水热法制备K,Na,Sm掺杂ZnO纳米结构的表征与性能