4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征

摘要

在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG:Ce3+)结合,封装成白光LED器件.简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征.外延片表面形貌良好,蓝光外延片荧光光谱(PL)显示峰值波长为442 nm.对封装后白光芯片进行电学特性测试,得出其开启与限流电压分别为2.7 V与3.6 V.此外,电致发光光谱(EL)含有两个主要的发光峰,分别是440 nm的蓝光峰以及540 nm的黄绿光峰,而随着注入电流的增加,蓝光峰位先蓝移后红移,黄绿光峰位先红移后蓝移再红移.本文中相关的芯片制备及表征技术将对固态照明研究起到一定的促进作用.