首页> 中国专利> 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法

氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法

摘要

本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管,其可抑制制造工艺复杂化,并且可提高来自发光层的光的输出效率,且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括:基板(11),其在主表面上形成有凹部(21);氮化物类半导体层(12),其在主表面上具有发光层(14),并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。

著录项

  • 公开/公告号CN101952982B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 未来之光有限责任公司;

    申请/专利号CN200880126957.3

  • 申请日2008-12-12

  • 分类号H01L33/00(20060101);H01S5/323(20060101);

  • 代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20170414 变更前: 变更后: 申请日:20081212

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-01-11

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20161221 变更前: 变更后: 申请日:20081212

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-05-01

    授权

    授权

  • 2013-03-27

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130301 申请日:20081212

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-03-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20081212

    实质审查的生效

  • 2011-01-19

    公开

    公开

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