SOI衬底、SOI器件及其形成方法

摘要

一种SOI衬底、SOI器件及其形成方法，所述SOI衬底包括：底部硅层；位于所述底部硅层上的埋入氧化层；位于所述埋入氧化层中的复合中心层；所述复合中心层的顶部表面与所述埋入氧化层的顶部表面齐平；位于所述埋入氧化层和所述复合中心层上的顶部硅层；所述顶部硅层具有有源区，所述有源区中后续形成有源漏掺杂区，所述复合中心层位于后续形成的源漏掺杂区的下方，所述复合中心层用于吸附后续形成的中性区中的电荷并导出。上述的方案，可以有效抑制浮体效应，提高所形成的SOI器件的性能。