退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:在薄SOI上模拟700 V高压器件结构-衬底偏置对SOI器件的影响
Matsudai; T.; Nakagawa; A.;
机译:超薄体和掩埋氧化物SOI基板的开发以及具有反偏压功能的全耗尽SOI器件的鉴定
机译:在新型SOI高压器件结构中消除背栅偏置效应
机译:高压薄膜SOI器件线性掺杂分布的数值模拟
机译:薄盒ETSOI器件的衬底偏置对GIDL的影响
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:纳米结构器件的器件仿真框架下的离散杂质物理学
机译:用超薄SOI和超薄盒形成用于SOI器件的隔离结构的方法
机译:具有超薄SOI和超薄盒的SOI器件的隔离结构
机译:超薄SOI和超薄箱体的SOI设备的隔离结构
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。