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四种抗总剂量与单粒子闭锁的CMOS集成电路基本单元

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摘要

本发明针对之前发明“一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构”专利的缺点，提出了四种新颖的电路结构，它们可以在NMOS晶体管源极不接衬底时实现电路功能并进行抗辐照，解决之前的发明源极必须接衬底的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114975596A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202210526736.7

  • 发明设计人 廖永波;刘仰猛;李平;刘玉婷;刘金铭;杨智尧;

    申请日2022-05-16

  • 分类号H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;G11C16/04;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 16:38:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2022105267367 申请日:20220516

    实质审查的生效

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