一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路

摘要

本发明公开了一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明抗总剂量辐照的CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，所述混合物在总剂量辐照下显示弱电荷性或电中性。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。