基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

朱伟; 简文翔; 薛晓勇; 林殷茵

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基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

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研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.

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来源
《复旦学报：自然科学版》 |2013年第3期|292-296|共5页
作者
朱伟; 简文翔; 薛晓勇; 林殷茵;
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作者单位

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测试和检验;
关键词
阻变式随机存储器; 总剂量辐照; CuxSiyO; 60Coγ射线;

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