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刘畅咏;
安徽大学;
CMOS; 工艺; 集成电路; 标准单元; 单粒子效应;
机译:65nm CMOS技术中低于$ V_ {rm T} $域中基于标准单元的内存的基准测试
机译:使用Saliside和ArF的65nm节点半导体工艺技术-65nm CMOS工艺技术的趋势与展望
机译:使用Salicide和ARF的65nm节点-65nm CMOS工艺技术半导体工艺技术的趋势与展望
机译:65NM CMOS工艺中的紧凑型20GHz动态锁存器比较器
机译:标准单元库设计与晶体管折叠使用65nm技术由全球铸造厂
机译:化学集成电路:互补金属氧化物半导体集成电路上的化学系统
机译:基于标准单元的存储器在65nm CmOs技术的子VT域中的基准测试
机译:一种基于行的并行算法,具有用于超立方体多处理器上的标准单元替换的错误控制
机译:基于具有标准单元的集成电路布图设计形成的掩模,该标准单元包括扩展的有源区
机译:集成电路,使用标准单元生成集成电路布图的方法以及提供这种标准单元的标准单元库
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