GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件

摘要

本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的弛豫时间，由于可饱和吸收层的缺陷密度低，器件的可靠性和一致性好，在脉冲激光器等领域应用前景广阔。