一种GaAs单晶生长设备及GaAs单晶生长工艺

摘要

本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长设备及GaAs单晶生长工艺。一种GaAs单晶生长设备，包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉内设置有高温区、梯度区以及低温区；单晶坩埚，所述单晶坩埚位于所述单晶炉的中部，用以容纳砷化镓多晶，且所述单晶坩埚覆盖所述高温区、梯度区以及低温区；加热自动控制组件，所述加热自动控制组件包括用以构成高温区、梯度区以及低温区的多个第一加热元件，相邻所述第一加热元件之间设置有测温热电偶，所述晶体长炉的中部设置有第二加热元件，且各个所述第一加热元件和第二加热元件分别通过控制器进行独立控制。本申请具有提升砷化镓单晶的结晶质量，降低其位错密度的优点。