首页> 中国专利> SONOS器件的制造方法和SONOS器件

SONOS器件的制造方法和SONOS器件

摘要

本发明提供一种SONOS器件的制造方法和SONOS器件,提供衬底,衬底上形成有依次彼此相邻的cell区、第一至第三器件区;在衬底上形成第二栅氧化层,第二栅氧化层包括由下而上堆叠的底部氧化层、氮化层和顶部氧化层;刻蚀去除cell区的第二栅氧化层,在衬底上淀积覆盖cell区和第二栅氧化层的第四栅氧化层;刻蚀去除第一器件区的第二栅氧化层和第四栅氧化层,之后形成覆盖第一器件区的第一栅氧化层;刻蚀去除第二器件区和第三器件区的顶部氧化层和氮化层;刻蚀去除第三器件区上的底部氧化层,之后在第三器件区上形成第三栅氧化层。本发明的SONOS器件中,在每个器件区的表面分别形成有不同的栅氧化层,实现了不同器件栅氧化层的共存,提升了器件的速度和可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN114496798A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202210097239.X

  • 发明设计人 初靖;蔡彬;黄冠群;

    申请日2022-01-27

  • 分类号H01L21/336;H01L27/11568;H01L29/792;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 15:16:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 专利申请号:202210097239X 申请日:20220127

    实质审查的生效

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号