半导体-超导体异质结构

摘要

一种器件(3)，包括：半导体的部分(4)；超导体的部分(6)，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分(5)，包括原子序数Z大于或等于(26)的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。