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一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法。该制备方法包括在第一衬底上制备立式半导体纳米片;在半导体纳米片上原位外延超导体,得到外延了超导体的半导体纳米片;将外延了超导体的半导体纳米片转移至第二衬底上;利用微纳加工,将半导体纳米片上原位外延的超导体加工成纳米线网络,获得半导体/超导体异质结纳米线网络。

著录项

  • 公开/公告号CN111704105B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202010583153.9

  • 发明设计人 潘东;赵建华;

    申请日2020-06-23

  • 分类号B82B3/00;B82Y10/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人孙蕾

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 13:50:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-14

    授权

    发明专利权授予

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