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一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器

摘要

本申请实施例公开了提供一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器,包括如下步骤:在基板的表面设置MEMS芯片和ASIC芯片;在基板的表面设置具有第一声孔的第一壳体,且所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均位于所述第一壳体的内侧;在所述第一声孔的远离所述基板的一侧贴附防水透气膜;在所述第一壳体的外侧套设具有第二声孔的第二壳体,所述第二声孔与所述第一声孔相对,所述防水透气膜的远离所述第一壳体的一侧固定于所述第二壳体。本申请实施例公开的MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器,设计合理,制作方法简单,不仅能保证MEMS传感器具有较好的防水性能,而且提高了MEMS传感器的抗干扰性能。

著录项

  • 公开/公告号CN114132889A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 歌尔微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202111349314.9

  • 发明设计人 端木鲁玉;田峻瑜;闫文明;

    申请日2021-11-15

  • 分类号B81C1/00(20060101);B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构11442 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人柳岩

  • 地址 266101 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园二期F楼

  • 入库时间 2023-06-19 14:25:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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