NORD flash器件测试区域接通结构及方法

摘要

本申请公开了NORD flash器件测试区域接通方法，包括：在器件单元上形成字线，字线的两侧依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、介质层以及控制栅多晶硅层；利用第一光刻胶层定义有源区，有源区位于所述器件单元的边缘；利用第二光刻胶层定义浮栅测试区，刻蚀浮栅测试区的控制栅多晶硅层以及介质层直至露出浮栅多晶硅层；将有源区、浮栅测试区的浮栅以及靠近浮栅测试区的控制栅进行接触孔工艺。在NORD flash器件测试区域接通方法中，通过增加第二光刻胶层定义的浮栅测试区的选择性光罩，针对间隔一定数量批次的产品进行监测，对于量产阶段工艺过程监控及产品质量提升具有重要意义。