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前驱体源布置和原子层沉积设备

摘要

本发明涉及用于原子层沉积反应器的前驱体源布置(2)和原子层沉积设备。前驱体源布置(2)包括阀室(40),阀室(40)包括一个或多个供应阀(72);以及前驱体源室(20、20’),前驱体源室(20、20’)具有在前驱体源室(20、20’)内部的前驱体容器空间(23)。前驱体源室(20、20’)包括前驱体源传热元件(22),其布置成加热在前驱体容器空间(23)内部的前驱体容器(30)。阀室(40)包括阀室传热元件(50),其布置成加热阀室(40)内部的一个或多个阀(72),并且阀室传热元件(50)布置成与前驱体源传热元件(22)传热接触。

著录项

  • 公开/公告号CN114127333A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BENEQ有限公司;

    申请/专利号CN202080050842.1

  • 申请日2020-06-26

  • 分类号C23C16/455(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构11587 北京汇知杰知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴焕芳;杨勇

  • 地址 芬兰埃斯波

  • 入库时间 2023-06-19 14:19:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-01

    公开

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